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【北京,朝陽區(qū)】國家自然科學基金重點項目的中標通知書

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微電子所在新結(jié)構(gòu)p-GaN柵極HEMT器件***路級可靠性研究方面取得重要進展稿件高頻高壓中心黃森責任編輯：黃森發(fā)布時間：2024-07-05 近日，中國科學院微電子所高頻高壓中心GaN功率電子器件研發(fā)團隊的2篇論文入選第36屆功率半導(dǎo)體器件和集***路國際會議（ISPSD），其中戴心玥博士的口頭報告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”榮獲大會唯一最佳青年學者獎（ISPSD Charitat Young Researcher Award）。 ????作為目前主流的增強型商用GaN功率器件，p-GaN柵極HEMT***路線因具有良好的閾值均勻性受到廣泛關(guān)注。其中，肖特基接觸型p-GaN HEMT器件具有較小的柵極漏電和較大的柵極擺幅，但其存在閾值電壓不穩(wěn)定的問題；歐姆接觸型p-GaN HEMT器件（也被稱為柵極注入晶體管，Gate injection transistor）盡管具有良好的閾值電壓穩(wěn)定性，但存在顯著的柵極漏電問題。戴心玥博士創(chuàng)新提出了一種具有歐姆島鑲嵌的p-GaN柵（Island Ohmic p-GaN gate, 簡稱IO-PGaN）增強型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)，成功實現(xiàn)了穩(wěn)定的閾值電壓和較大的柵極擺幅。通過定制含有Mg重摻雜蓋帽層的外延結(jié)構(gòu)，在歐姆島頂部實現(xiàn)良好的p型歐姆接觸，其余部分為肖特基接觸。此外，歐姆島側(cè)壁的肖特基接觸與頂部的歐姆接觸可以等效為一個常開型p-FET，當歐姆島結(jié)構(gòu)足夠“窄長”、或歐姆島結(jié)構(gòu)摻雜濃度足夠低時，側(cè)壁耗盡層更易夾***道，該等效 p-FET 的閾值電壓增大，可實現(xiàn)柵極漏電的自鉗位。實驗結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)繼承了肖特基型p-GaN柵器件的低漏電優(yōu)勢和歐姆柵器件良好的閾值穩(wěn)定性特點，在高柵壓和漏壓偏置工作條件下均能實現(xiàn)低柵極漏電和穩(wěn)定的閾值電壓，所制備的器件具有較陡峭的亞閾值擺幅。這項研究為提升商用p-GaN柵功率器件的可靠性提供了新***路，具有重要的應(yīng)用前景。 ????團隊成員黃怡菲博士在大會上展示了題為 “In-situ Extraction of Time-resolved EOSS on GaN Power Device Based on a Modified Hard Switching Platform”的論文成果。GaN功率器件在高速開關(guān)功率變換器中，尤其是硬開關(guān)條件下，開關(guān)損耗成為總功耗中的主要部分。開關(guān)損耗得一部分和器件輸出電容COSS損耗（EOSS）有關(guān)，體現(xiàn)在COSS中存儲的電荷通過2DEG通道的放電過程。該工作提出了一種基于電感負載硬開關(guān)評估板的原位測量方法來表征動態(tài)EOSS。這種易于實施的方法可以研究EOSS對各種參數(shù)的依賴性，包括總線電壓、長期關(guān)斷漏極應(yīng)力（Pre-HVdrain-stress）和長期硬開關(guān)應(yīng)力（Pre-HSW-stress）。該工作深入揭示了長期應(yīng)力對EOSS的影響，這有助于評估實際應(yīng)用中連續(xù)硬開關(guān)應(yīng)力條件下GaN功率器件的功率損耗。以上研究工作得到深圳平湖實驗室和中國科學院蘇州納米所的協(xié)助，同時得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金重點項目、中國科學院-香港裘搓基金重點項目、中國科學院青促會優(yōu)秀會員和中國科學院微電子所-香港科技大學聯(lián)合微電子實驗室等項目的大力支持。 ISPSD作為IEEE旗下的功率半導(dǎo)體旗艦會議，涵蓋功率半導(dǎo)體器件和功率集***路的設(shè)計、工藝、封裝和應(yīng)用等方向，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的國際學術(shù)會議，被認為是該領(lǐng)域的奧林匹克會議，三十多年以來一直都是國際產(chǎn)業(yè)界和學術(shù)界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。微電子所獲獎團隊與2023&2024兩屆ISPSD大會主席合影新型歐姆島狀p-GaN柵結(jié)構(gòu)增強型AlGaN/GaN HEMT器件

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